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產(chǎn)品詳情

TeraSpike - LT-GaAs光電場檢測器

TeraSpike是新一代的微探針，用于太赫茲頻率范圍內(nèi)電場的光電導檢測?；诳蛻舻姆答伜筒粩嘣鲩L的應用驅(qū)動的需求，我們對近場探針進行了徹底的重新設計并且開發(fā)成功。新的探針是一款多用途表面近場電場探測器，適用于太赫茲波長范圍內(nèi)，具有前所未有的性能，可靠并且可適應。它可以完美地集成到太赫茲時域系統(tǒng)，在860 nm以下光激發(fā)，這是zui高性價比的解決方案，將您的系統(tǒng)變成功能強大的高分辨率近場太赫茲系統(tǒng)。

產(chǎn)品特點：

■ 市場上zui小的主動太赫茲探針，基于技術上認可設計，懸臂厚度僅有1μm（DE102009000823.3） 
■ 空間分辨率達3微米 
■ 頻率范圍0-4太赫茲 
■ 適用于所有基于激光的λ<860 nm的太赫茲系統(tǒng)
■ 安裝與標準光機械部件兼容 
■ 典型的光激發(fā)功率：飛秒激光器1-5毫瓦（1-5微焦/平方厘米）

產(chǎn)品參數(shù)：


TeraSpike TD-800-  

      X-HR 

      X-HRS    

      X-HS 

    Z-A-500G 

Max. spatial resolution

3 μm

20 μm

100 μm

8 μm

Photoconductive gap size at tip

1.5 μm

2 μm

3 μm

5 μm

Dark current @ 1V Bias

< 0.5 nA

< 0.5 nA

< 0.4 nA

< 0.4 nA

Photocurrent

> 1 μA

> 0.6 μA

> 0.6 μA

> 0.5 μA

Excitation wavelength

700 nm ... 860 nm

Excitation power

1 mW ... 4 mW

Connection type

SMP


產(chǎn)品應用：

■ 超太赫茲研究：超材料，等離子體，石墨烯，波導，... 
■ 高分辨率太赫茲近場成像 
■ 非接觸式薄膜電阻半導體成像 
■ MMIC器件特性分析 
■ 無損檢測芯片 
■ 時域反射計（TDR）

Measured near-field distribution of a gated graphene layer on SiO2-Si revealing conductivity inhomogeneity  測量在 SiO2-Si上的石墨烯膜層的近場分布

Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface
測量脈沖激發(fā)的THz超物質(zhì)表面的近場圖像

Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface
測量脈沖激發(fā)的THz超物質(zhì)表面的近場圖像

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