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產(chǎn)品詳情
EOT高速光電探測器

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品，EOT公司專注于生產(chǎn)和開發(fā)高平均功率及高峰值功率法拉第旋轉器，隔離器以及高速光電探頭，為知名的光纖激光器廠商批量提供產(chǎn)品，并具有為特殊要求定制產(chǎn)品的開發(fā)生產(chǎn)能力。法拉第光旋轉器／光隔離器廣泛應用于各種對于返回光極敏感的光學系統(tǒng)中，如多級激光放大器，光參量振蕩器，環(huán)形激光器，摻餌光纖放大器(用于隔離980nm泵浦光的反饋)，種子注入型激光器，非線性光學，光傳輸系統(tǒng)等。 產(chǎn)品包括：法拉第旋轉器和隔離器，高速光電探測器。


  圖形名稱型號描述帶寬(Hz)
美國EOT ET-3010 - InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3010材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；
響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC		>2 GHz
美國EOT ET-3000 - InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3000材料：銦鎵砷 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；
響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC		>2 GHz
美國EOT ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz
[查看參數(shù)表]		ET-2070材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ；
響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC		118 MHz
美國EOT ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-2060材料：Silicon 上升／下降時間：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；
響應度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
帶寬：＞１．１ＧＨｚ； 有效面積直徑：０．４ｍｍ； 輸出連接：BNC		>1.1 GHz
美國EOT ET-2040 - 硅光電探測器 ＞25MＨz
[查看參數(shù)表]		ET-2040材料：Silicon 上升／下降時間：＜３０nｓ／＜３０nｓ；
響應度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
帶寬：＞２５ＭＨｚ； 有效面積直徑：４.５７ｍｍ； 輸出連接：BNC		>25 MHz
美國EOT ET-2030 高速 硅光電探測器 ＞１.２ＧＨｚ
[查看參數(shù)表]		ET-2030材料：Silicon 上升／下降時間：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；
響應度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
帶寬：＞１.２ＧＨｚ； 有效面積直徑：０.４ｍｍ； 輸出連接：BNC		>1.2 GHz


  圖形名稱型號描述帶寬(Hz)
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 帶放大光電探測器 ET-3500AF
[查看參數(shù)表]		ET-3500AF材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
轉換增益：1620 V/W ＠1310 nm
帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美國EOT GaAs 砷化鎵 帶放大光電探測器 ET-4000AF
[查看參數(shù)表]		ET-4000AF材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
轉換增益：９７０V/W ＠ 850 nm
帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 帶放大光電探測器 ET-5000AF
[查看參數(shù)表]		ET-5000AF材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
轉換增益：２３５０ V/W ＠2000 nm
帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美國EOT GaAs 砷化鎵 帶放大光電探測器 ET-4000A
[查看參數(shù)表]		ET-4000A材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
轉換增益：1340 V/W ＠ 850 nm
帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 帶放大光電探測器 ET-5000A 10 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-5000A材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
轉換增益：3250 V/W ＠2000 nm
帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		20 kHz-10 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 帶放大光電探測器 ET-3500A
[查看參數(shù)表]		ET-3500A材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ		＞15 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 放大光電探測器 ET-3000A
[查看參數(shù)表]		ET-3000A材料：InGaAs 上升／下降時間：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；
轉換增益：900 V/W ＠1300 nm
帶寬：30 kHz to １.５GHz 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：ＢＮＣ		30 kHz-１.５GHz
美國EOT 硅Silicon帶放大高速光電探測器 ET-2030A
[查看參數(shù)表]		ET-2030A材料：Silicon硅 上升／下降時間：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；
轉換增益：450 V/W ＠830 nm
帶寬：30 kHz to 1.2 GHz 有效面積直徑：４００ｕｍ； 輸出連接：ＢＮＣ		30 kHz-１.2 GHz

  圖形名稱型號描述帶寬(Hz)
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-5000F
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ；
有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC		＞10 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-5000
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
響應度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ；
有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,不適用		＞10 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-4000F
材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
響應度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC、SMF28e		＞12.5 GHz
美國EOT GaAs 砷化鎵 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-4000
材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
響應度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接c 不適用		＞12.5 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-3600F, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3600F
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ；
響應度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ＧＨｚ；
有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC、SMF28e		>22 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-3600, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3600
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ；
響應度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ＧＨｚ；
有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 不適用		>22 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-3500F, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3500F
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ；
有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e		＞15 GHz
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 ET-3500, >12.5 GHz
[查看參數(shù)表]		ET-3500
材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ；
有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 不適用		＞15 GHz