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產(chǎn)品詳情
Si ATR棱鏡

光學(xué)級(jí)硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，特別是對(duì)于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ，可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。

硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實(shí)驗(yàn)中的中子靶。

硅通過Czochralski拉伸技術(shù)（CZ）生長并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過浮區(qū)（FZ）工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段zui佳透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。

技術(shù)參數(shù)：

透射范圍：

1.215μm（1）

折射率：

3.4223 @5μm（1）（2）

反射損耗：

46.2％（5μm）（2個(gè)表面）

吸收系數(shù)：

0.01cm -1 at 3μm

吸收峰：

n / a

dn / dT：

160×10-6 /℃（3）

dn /dμ= 0：

10.4μm

密度：

2.33g / cc

熔點(diǎn)：

1420℃

熱導(dǎo)率：

273.3W m-1 K-1

熱膨脹：

2.6×10 -6 /℃ at 20℃

硬度：

Knoop 1150

比熱容：

703JKg-1K-1

介電常數(shù)：

13 at 10GHz

楊氏模量（E）：

131GPa（4）

剪切模量（G）：

79.9GPa（4）

體積模量（K）：

102GPa

彈性系數(shù)：

C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）

表觀彈性極限：

124.1MPa（18000 psi）

泊松比：

0.266（4）

溶解性：

不溶于水

分子量：

28.09

類別/結(jié)構(gòu)：

立方鉆，Fd3m

光譜透射曲線：

折射率：（No = Ordinary Ray）

um

No

um

No

um

No

1.357

3.4975

1.367

3.4962

1.395

3.4929

1.5295

3.4795

1.660

3.4696

1.709

3.4664

1.813

3.4608

1.970

3.4537

2.153

3.4476

2.325

3.4430

2.714

3.4358

3.000

3.4320

3.303

3.430

3.500

3.4284

4.000

3.4257

4.258

3.4245

4.500

3.4236

5.000

3.4223

5.500

3.4213

6.000

3.4202

6.500

3.4195

7.000

3.4189

7.500

3.4186

8.000

3.4184

8.500

3.4182

10.00

3.4179

10.50

3.4178

11.04

3.4176

 

 

 

 
訂購信息：
產(chǎn)品型號(hào): SICZPRISM52-20-2-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.

梯形

產(chǎn)品型號(hào): SICZPRISM80-10-4-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.

梯形