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產(chǎn)品詳情

MPGD5210Y-2型硅雪崩光電二極管

產(chǎn)品特性：
■ 正照平面型芯片結(jié)構(gòu)
■ 響應(yīng)頻率高、增益高
■ 激光測(cè)距、激光告警和激光雷達(dá)等應(yīng)用
zui大額定值：

工作電壓

0.95×VBR

工作溫度

-50～85℃

耗散功率

1mW

正向電流

1mA

貯存溫度

-55～100℃

焊接溫度（時(shí)間）

260℃（10s）
光電性能（@Tc=22±3℃）

特性參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

zui小

典型

zui大

單位

光譜響應(yīng)范圍

λ

—

400～1100

nm

光敏面直徑

φ

—

500

μm

響應(yīng)度

Re

λ=850nm,φe=1μw, M=100

50

55

 

A/W

響應(yīng)時(shí)間

tS

f=1MHz,RL=50Ω,λ=850nm

 

0.6

1.5

ns

暗電流

 

ID

M=100

0.2

0.5

3

nA

總電容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.2

 

pF

zui適宜的放大倍數(shù)

M

 

 

60-80

 

 

反向擊穿電壓

VBR

IR=10uA

100

 

220

V

工作電壓溫度系數(shù)

δ

Tc=-40℃～85℃

 

0.8

 

V/℃
等效電路及應(yīng)用電路 ：
 圖1 等效電路圖                                                   圖2 使用示意圖


注：C1－濾波電容，主要濾除偏置工作電壓VR的噪聲；

    C2－旁路電容，主要是為交流信號(hào)提供對(duì)地回路；
    R1－限流電阻，主要保護(hù)偏置工作電壓VR過高時(shí)，損壞探測(cè)器；
    Ri－取樣電阻，將光電流轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)。

典型特性曲線：
封裝外形、尺寸及引腳定義：
注意事項(xiàng)：
■ 該器件需要溫度反饋工作電壓控制
■ 貯運(yùn)、使用注意靜電保護(hù)措施
■ 光纖彎曲半徑不小于20mm
■ 使用前保證光纖連接處潔凈