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200μm InGaAs APD模塊
■ 低噪聲
■ 高靈敏度
■ 200μm光敏面積
■ 標(biāo)準(zhǔn)TO46封裝
■ 符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
參數(shù) |
符號(hào) |
測(cè)試條件 |
zui小值min |
標(biāo)準(zhǔn)值typ |
zui大值max |
單位 |
光敏面尺寸 |
φ |
|
|
200 |
|
μm |
工作波長 |
λ |
|
800 |
|
1700 |
nm |
峰值響應(yīng)波長 |
λp |
|
|
1550 |
|
nm |
響應(yīng)度 |
R |
λ =1550nm,M=1 |
0.7 |
0.75 |
|
A/W |
暗電流 |
I |
M=10 |
|
20 |
24 |
Na |
dV/dT |
|
|
15 |
17 |
19 |
mV/℃ |
電容 |
CT |
f =1MHz,M>3 |
|
4 |
|
pF |
帶寬 |
f3db |
RL=50Ω,3<M<10 |
|
200 |
|
MHz |
過量噪聲因數(shù) |
NEF |
M=10 |
|
3.5 |
|
|
噪聲當(dāng)量功率 |
NEP |
λ =1550nm,M=10 |
|
4.97x10-14 |
|
W/Hz0.5 |
絕對(duì)zui大反偏電流 |
Ir |
|
|
3 |
|
mA |
zui大正向電流 |
If |
|
|
5 |
|
mA |
工作溫度范圍 |
Top |
|
-40 |
|
85 |
℃ |
儲(chǔ)存溫度 |
Tstg |
無操作 |
-40 |
|
85 |
℃ |
■ 測(cè)距
■ 傳感
■ OTDRs
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