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850nm高功率脈沖二極管
■ 輸出功率可達(dá)1W
■ 低電感
■ 低功耗
■ 氣密封裝
■ 14-pin雙線或者3-pin同軸封裝
■ 50和62.5μm光纖
■ 可選接口
■ 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
|
LP |
LP |
LP |
LP |
LP |
LP |
單位 |
功率(min) Po |
300 |
300 |
500 |
500 |
1000 |
1000 |
mW |
閾值電流(typ) Ith |
0.1 |
0.1 |
0.25 |
0.25 |
0.25 |
0.25 |
A |
zui大正向電流(typ) If |
1.4 |
1.2 |
2.2 |
2.0 |
4.5 |
4.0 |
A |
峰值波長(zhǎng) |
850+/-20 |
850+/-20 |
850+/-20 |
850+/-20 |
850+/-20 |
850+/-20 |
nm |
光譜寬度(FWHM)Δλ |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
nm |
脈沖寬度 Pw |
50 |
50 |
50 |
50 |
50 |
50 |
ns |
重復(fù)頻率 PRR |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
KHz |
工作溫度 |
-20到70 |
℃ |
|||||
存儲(chǔ)溫度 |
-40到70 |
℃ |
|||||
激光器zui大正向電流 |
6 |
A |
|||||
激光器zui大反向電流 |
10 |
μA |
|||||
激光器zui大反向電壓 |
0.5 |
V |
|||||
光纖zui大彎曲半徑 |
50 |
mm |
OSI850nm激光器模塊可用于需要具有高功率低功耗特點(diǎn)的光纖光學(xué)設(shè)備中。其將高可靠性性能的激光芯片封裝,采用薄型的風(fēng)格是為了方便窄的高脈沖電流應(yīng)用。當(dāng)然,為滿足客戶需求,該設(shè)備也可以定制。
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