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光刻

可提供穩(wěn)定的線寬控制和均勻性良好的光刻工藝。 
　  傳統(tǒng)光刻工藝：
　　zui大加工6寸晶圓片；
　　分辨率達(dá)到0.7um；
　　正面對準(zhǔn)精度0.5um，背面對準(zhǔn)精度1.0um；
　　正膠及負(fù)膠工藝；剝離光刻。
　  激光干涉曝光工藝：
　    zui小線寬80nm。

 等離子刻蝕

美國Plasma-Therm公司深硅蝕刻DSE設(shè)備、加工III-V化合物半導(dǎo)體的感應(yīng)耦合ICP蝕刻設(shè)備、等離子蝕刻RIE設(shè)備。
　  深硅蝕刻：zui大加工6寸晶圓片；深寬比60：1；形貌90+/-2o；側(cè)壁粗糙度<20nm；均勻性<3%。
　  感應(yīng)耦合蝕刻：zui大加工4寸III-V化合物半導(dǎo)體晶圓片；側(cè)面粗糙度<20nm。
　  等離子蝕刻：zui大加工8寸晶圓片；針對SiO2或Si3N4等介質(zhì)膜。

電子束蒸發(fā)

提供Ti, Pd, Ni, Cr, Al, and Au等金屬的蒸鍍，

鍍膜純度大于99.999%，均勻性小于3%。

zui大可進(jìn)行四層金屬的鍍膜。

等離子增強(qiáng)
 化學(xué)氣相沉積

低溫快速沉積，

提供SiO2、Si3N4等介質(zhì)膜沉積，

zui大加工6寸晶圓片，

具有良好的膜厚穩(wěn)定性及均勻性。

低壓化學(xué)
  氣相沉積

提供低應(yīng)力及高覆蓋性的Si3N4薄膜的積，應(yīng)力可控制在100MPa到200MPa之間，均勻性<4%。

晶圓切割

提供高精度半自動晶圓切割工藝，

zui大加工6寸硅基及玻璃圓片，

Y軸步進(jìn)精度2um/160mm；

Z軸重復(fù)精度0.2um /50次。

芯片研磨及拋光

自動芯片研磨拋光機(jī)，拋光表面粗糙度<10nm，表面平整度<80nm，平行度<0.017°。

金絲焊接

手動金絲球焊機(jī)，

可提供金線直徑0.8-2mil 的焊接工藝。

線弧長度范圍0-2.5mm，

焊點(diǎn)落差范圍0–2mm。

高精度貼片

貼片精度：0.5um；

貼片壓力0~400N。

共晶爐

zui大升溫速度200℃/分；zui大降溫速度120℃/分；溫控精度±5.0℃ 。

平行縫焊

　應(yīng)用范圍：電阻焊接、銅焊、錫焊；
　適用形狀：圓形或方形；
　工件尺寸：3mm - 203mm；
　可供氣體：氮?dú)?、?/span>+氦氣、氮+氧氣、壓縮空氣+氦氣；
　氧氣監(jiān)控范圍：0 - 1000PPM或25%；
　濕氣探測范圍：0 - 150PPM或露點(diǎn)探測；
　氦氣監(jiān)控范圍：0 - 20%。

 膜厚測量儀

膜厚測量范圍：200 A~35um；
標(biāo)配物鏡：5×, 10×；
樣品臺：150 x 120 mm；
可進(jìn)行多層透明介質(zhì)薄膜厚度測量。

  掃描電鏡

二次電子像分辨率：0.6nm；
背散射電子分辨率：1.5nm；
放大倍率：25× ~ 1,000,000×。

   臺階儀

垂直測量范圍：524um；
掃描長度：50um 至 55mm；
zui大樣品厚度：90mm，直徑：150mm；
在6.55um 測量范圍內(nèi)，精度可達(dá)1 A。

  推拉力
   測量儀

拉力測試：0-100g；推球測試：0-5kg；
剪切力測試：0-100kg。
 

  氦質(zhì)譜
   檢漏儀

內(nèi)置IDP-3 檢漏儀專用渦旋干泵；1000ppm 氦背景下，zui小檢漏5×10-13Pa m³ / hr；測試口zui高耐壓1330Pa；響應(yīng)時間< 0.5s；執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：UL/CSA, CE。