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|
型號(hào) |
有效面積 |
典型的暗電流 |
擊穿電壓 |
zui大電容 |
間隙 |
類型 |
上升時(shí)間(ns) |
||
|
芯片 |
封裝 |
尺寸(mm) |
面積(mm2) |
@10V（nA） |
(V) |
@10V (pF) |
(μm) |
|
@850nm, 10V, 50Ω |
|
DP3.22-6 |
TO5 |
1.4×2.3 |
3.22 |
0.3 |
15 |
3.1 |
50, 氧化物 |
微分 |
30 |
|
QP1-6 |
TO5 |
O 1.13 |
1.00 |
0.1 |
1.0 |
16, 氧化物 |
四象限 |
20 |
|
|
QP2-6 |
TO5 |
O 1.60 |
2.00 |
0.1 |
2.0 |
20, 氧化物 |
|||
|
QP5-6 |
TO5 |
O 2.52 |
5.00 |
0.2 |
3.0 |
24, 氧化物 |
|||
|
QP5.8-6 |
TO5 |
2.4×2.4 |
5.80 |
0.4 |
2.7 |
50, 氧化物 |
|||
|
QP10-6 |
TO8S |
O 3.57 |
10.00 |
0.5 |
5.0 |
28, 氧化物 |
|||
|
QP20-6 |
TO8S |
O 5.05 |
20.00 |
1.0 |
10.0 |
34, 氧化物 |
30 |
||
|
QP50-6 |
TO8S |
O7.80 |
50.00 |
2.0 |
25.0 |
42, 氧化物 |
40 |
||
|
QP100-6 |
LCC10 |
O11.20 |
100.00 |
5.0 |
50.0 |
50, 氧化物 |
50 |
||
|
型號(hào) |
有效面積 |
暗電流 |
擊穿電壓 |
典型的電容 |
間隙 |
類型 |
上升時(shí)間(ns) |
||
|
芯片 |
封裝 |
尺寸(mm) |
面積(mm2) |
@150V（nA） |
(V) |
@150V (pF) |
(μm) |
|
@1064nm, 150V, 50Ω |
|
QP45-Q |
TO8i |
6.69×6.69 |
4×11 |
20 |
200 |
15.0 |
70 |
四象限 |
5 |
|
QP100-Q |
LCC10 |
10×10 |
4×25 |
250 |
25.0 |
50 |
6 |
||
|
QP154-Q |
TO1032i |
O 14.0 |
4×38.5 |
100 |
|||||
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