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產(chǎn)品詳情

THz晶體

ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

詳細參數(shù)：

材料

ZnS

CdS

ZnSe

ZnSe

ZnxCd1-xS

CdS

CdSe

CdSxSe1-x

CdTe

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生長法

PVT

melt

PVT

晶種氣相法

直徑，mm

40

50

80

50

40

厚度，mm

30

10

15

40

30

30

10

30

10

15

光學(xué)吸收at 10,6
nm, cm-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

-

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

-

阻抗, Ohm x cm

-

105

5-50x109

> 105

1x106

發(fā)光強度比，IEx/Iedge
(Iimp)

-

> 10

-

位錯密度, cm-2

-

< 2 x105

< 5 x105

2 x105

< 2 x105

< 2 x104

5 x104

-

1x 104

-

小角邊界密度, cm-1

-

< 40

< 40

70

70

< 20

10

-

3

< 10

發(fā)光光譜的激發(fā)帶波長, nm

 -

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

 -

產(chǎn)品簡介：

德國Moltech公司位于柏林，專注于激光材料，激光介質(zhì)，激光晶體，太赫茲晶體，法拉第隔離器的研發(fā)制作。Moltech公司的THz晶體廣泛為中國的客戶使用和好評。

 

第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均為寬帶半導(dǎo)體。其中ZnTe,ZnS可利用全固態(tài)可調(diào)諧雙波長光源在非線性晶體中二階光學(xué)混頻方法產(chǎn)生太赫茲光。CdxZn1- xTe(CZT/碲鋅鎘)半導(dǎo)體單晶是發(fā)展遠紅外,可見光,X-射線探測器,γ射線探測器的重要材料。CZT射線探測器具有吸收系數(shù)大，結(jié)構(gòu)緊湊，室溫操 作等優(yōu)點。而現(xiàn)在工業(yè)和醫(yī)療方面產(chǎn)用的高純Ge和Si的探測器，只能工作在液氮溫度下。CZT已經(jīng)成為硬X射線和γ射線的一種關(guān)鍵技術(shù)。天文學(xué)方面用 CZT陣列去研究宇宙中的高能γ射線源。

相關(guān)產(chǎn)品：