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THz晶體
GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb
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材料 |
InP |
InSb |
InP: Fe |
InP:Zn |
GaP |
GaAs:Te |
GaAs:Zn |
GaAs 多晶 |
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阻抗, om.cm |
0.03 - 0.2 |
- |
1x106 - 2x107 |
- |
- |
- |
- |
- |
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直徑 |
- |
- |
1,011 - 1,2511 |
1,011 - 1,2511 |
- |
12,511 |
1,511 |
- |
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軸向 |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
-100 |
- |
- |
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載流子濃度 , cm-3 |
(0.8 - 2.0) x 1015 |
(8 - 30) x 1013 |
- |
(0.2 - 1.0) x 1018 |
(4 - 6) x 1016 |
2 x 1017 |
1.0 x 1019 |
2 x 1015 |
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靈敏度 cm2/V.Sec |
3500 - 4000 |
- |
- |
50 -70 |
- |
4500 |
- |
5200 |
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生長(zhǎng)技術(shù) |
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可參雜 |
- |
- |
可參雜 |
- |
Cz |
Bridjman |
筱曉光子技術(shù)有限公司的德國(guó)合作方之一 MolTech公司生產(chǎn)和經(jīng)銷各類激光晶體，包括作為激光活性物質(zhì)的晶體，光學(xué)器件晶體，各種單晶，非線性光學(xué)晶體！現(xiàn)在我公司把MolTech公司的部分用于THz產(chǎn)生的非線性晶體介紹給中國(guó)的科研界客戶。
THz晶體-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn
其中GaP(磷化鎵)有一個(gè)能發(fā)出可見(jiàn)光的能代間隙,只不過(guò)它是間接能帶半導(dǎo)體。當(dāng)它同GaAs結(jié)合形成GaAs1-xPx合金時(shí),就便成了既直接又具有發(fā)光能帶間隙的物質(zhì)了。GaP還可用于制作發(fā)光二極管，它能夠發(fā)出綠光。
InP(磷化銦)主要應(yīng)用于光纖通訊設(shè)備,尤其是半絕緣的InP晶片很可能成為光電二極管的主流產(chǎn)品,應(yīng)用于高速通訊設(shè)備，其傳輸速度能達(dá)到40Gbps。InP還有望用于對(duì)傳輸速度要求更高的下一代移動(dòng)電話中。
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相關(guān)產(chǎn)品：
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