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產(chǎn)品詳情
Si PIN光電二極管 MPGD3251Y -A
產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 大光敏面
■ 快速響應(yīng)
■ 低暗電流
■ 高響應(yīng)度
■ 高可靠性

詳細(xì)參數(shù)：
技術(shù)指標(biāo)(Ta=23℃)

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

  典型值

單位

光敏面直徑

Φ

 

 6

6Ⅱ

8

8Ⅱ

5

mm

光參數(shù)

光譜響應(yīng)范圍

λ

 

  400～1100

nm

響應(yīng)度

Re

VR=15V,λ=900nm

0.55

 

0.55

0.3

0.5

A/W

VR=15V,λ=1060nm

 

0.23

 

0.23

0.2

A/W

響應(yīng)時(shí)間

tr

VR=15V，λ=900nm

22

 

25

 

20

nS

VR=30V，λ=900nm

 

15

 

20

14

電參數(shù)

暗電流

ID

VR=15V

40

40

40

nA

反向擊穿電壓

VBR

IR=10μA

90

  100

90

100

80

V

電容

Cj

f=1MHz,VR=15V

40

 

55

 

35

pF

f=1MHz,VR=30V

 

30

 

45

 

 

工作電壓

VR

 

15-40

V

管座型號(hào)

 

TO-8

飽和光功率lb0.3w/cm2

特性曲線
外型圖及使用簡(jiǎn)圖(管腳皆為背面示意圖)
注意事項(xiàng)：

◆ 器件在反向偏置條件下工作。.
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊，以免光窗損壞。
◆ 在貯運(yùn)、使用過(guò)程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施，以免器件失效。

產(chǎn)品原理：

本器件是在反向偏置條件下工作，采用Si-PIN結(jié)構(gòu)。

產(chǎn)品應(yīng)用：


■ 光電靶探測(cè)系統(tǒng)
■ 0.5—1.1mm光電探測(cè)和光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
■ 快速物理化學(xué)過(guò)程的快速光信號(hào)探測(cè)

相關(guān)產(chǎn)品：