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■ 低暗電流
■ 高均勻性、高對稱性
■ 高可靠性
■ 盲區(qū)小
參數(shù) |
符號 |
測試條件 |
典型/單元 |
單位 | ||
光敏面直徑 |
Φ |
|
MP111 |
MP112 |
μm | |
光參數(shù) |
光譜響應范圍 |
λ |
|
0.4-.1.1 |
| |
響應度 |
Re |
VR=40V,λ=1060nm VR=40V,λ=900nm |
0.2 0.45 |
0.2 0.45 |
A/W | |
響應時間 |
tr |
VR=40V |
6 |
8 |
| |
電參數(shù) |
暗電流 |
ID |
VR=40V |
10 |
10 |
|
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
80 |
| |
電容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
5 |
8 |
| |
工作電壓 |
VR |
|
40 |
V | ||
管座型號 |
|
|
TO-8型 |
|
◆ 器件在反向偏置條件下工作。.
◆ 使用中防止劇烈震動、沖擊,以免光窗損壞。
◆ 在貯運、使用過程中必須采取靜電防護措施,以免器件失效。
器件是反向偏置的半導體二極管陣列,由于器件是象限化的,因此當被測物體的光幅射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發(fā)生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導的作用。
產品應用:
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