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■ 大光敏面
■ 低暗電流
■ 高響應(yīng)度
■ 高可靠性
參數(shù) |
符號(hào) |
測(cè)試條件 |
典型值 |
單位 | |
光敏面直徑 |
Φ |
|
2'20 |
μm | |
光參數(shù) |
光譜響應(yīng)范圍 |
λ |
|
400~1100 |
nm |
響應(yīng)度 |
Re |
VR=5V,λ=900nm |
0.5 |
A/W | |
響應(yīng)時(shí)間 |
tr |
VR=5V |
120 |
nS | |
電參數(shù) |
暗電流 |
ID |
VR=5V |
100 |
nA |
極間阻抗R12 |
|
|
30 |
KW | |
位置分辨率PR |
|
|
5 |
mm | |
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
V | |
電容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
45 |
pF | |
工作電壓 |
VR |
|
5 |
V | |
管座型號(hào) |
|
四腳陶瓷封裝 | |||
飽和光功率lb0.5w/cm2 |
◆ 器件在反向偏置條件下工作。.
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊,以免光窗損壞。
◆ 在貯運(yùn)、使用過程中必須采取靜電防護(hù)措施,以免器件失效。
器件是一種結(jié)構(gòu)特殊的光電探測(cè)器,其原理是利用半導(dǎo)體的“橫向效應(yīng)”,達(dá)到器件對(duì)光點(diǎn)位置敏感的目的。采用PIN結(jié)構(gòu),當(dāng)光束入射到器件的光敏面內(nèi)時(shí),產(chǎn)生電子-空穴對(duì),達(dá)到P層的載流子由X1、X2兩電極輸出,其輸出電流的大小與光入射位置X到X1、X2電極的距離成反比。由此可計(jì)算出光的入射位置X,為此準(zhǔn)確地測(cè)出目標(biāo)的位置。
產(chǎn)品應(yīng)用:
相關(guān)產(chǎn)品: