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產(chǎn)品詳情
Si 二維位敏探測(cè)器 MPGD3284Y
產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 大光敏面、無(wú)盲區(qū)
■ 低暗電流、高響應(yīng)度
■ 輸出線性好、高均勻性
■ X、Y方向信號(hào)互不影響
■ 位置連續(xù)變化的、可測(cè)精度小于5mm


詳細(xì)參數(shù)：
技術(shù)指標(biāo)(Ta=23℃)

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

  典型值

單位

光敏面直徑

Φ

 

10'10

μm

光參數(shù)

光譜響應(yīng)范圍

λ

 

  400～1100

nm

響應(yīng)度

Re

VR=5V,λ=900nm

0.5

A/W

響應(yīng)時(shí)間

tr

VR=5V

500

nS

電參數(shù)

暗電流

ID

VR=5V

300

nA

極間阻抗R12

 

 

30

KW

位置分辨率PR

 

 

5

mm

反向擊穿電壓

VBR

IR=10μA

30

V

電容

Cj

f=1MHz,VR=40V

150

pF

工作電壓

VR

 

5

V

管座型號(hào)

 

T0-18

外型圖及使用簡(jiǎn)圖
特性曲線
使用簡(jiǎn)圖
注意事項(xiàng)：

◆ 器件在反向偏置條件下工作。.
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊，以免光窗損壞。
◆ 在貯運(yùn)、使用過(guò)程中必須采取靜電防護(hù)措施，以免器件失效。

產(chǎn)品原理：

器件是利用半導(dǎo)體的“橫向效應(yīng)”原理制作而成的，它的四個(gè)輸出電極X1、X2、Y1、Y2相當(dāng)于直角坐標(biāo)系的XY軸。當(dāng)器件接收的目標(biāo)信號(hào)光斑位置變化時(shí)，器件的輸出光電流也隨著位置變化而線性地變化，為此準(zhǔn)確地測(cè)出目標(biāo)的位置。

產(chǎn)品應(yīng)用：


■ 位置角度測(cè)定
■ 跟蹤制導(dǎo)、定位、對(duì)準(zhǔn)
■ 位置偏轉(zhuǎn)、振動(dòng)、三維空間目標(biāo)運(yùn)動(dòng)軌跡的測(cè)定
■ 自動(dòng)聚焦、機(jī)器人視覺(jué)

相關(guān)產(chǎn)品：