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產(chǎn)品詳情

InGaAs PIN四元探測(cè)器MPGD3540T

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

基于InGaAs/InP MOCVD結(jié)構(gòu)的平面型二極管還有φ60μm，φ75μm, φ300μm，φ500μm，φ800μm，φ1000μm，φ3000μm，φ5000μm等光敏面積直徑的系列產(chǎn)品，可以按用戶要求設(shè)計(jì)不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 平面正照結(jié)構(gòu)

■ 低暗電流

■ 高均勻性

■ 高可靠性

參數(shù)詳情：
參數(shù)性能（Ta=23℃）：

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

zui小

典型

zui大

單位

光敏面直徑

Φ

 

4×1500

μm

光參數(shù)

光譜響應(yīng)范圍

λ

 

900～1700

nm

響應(yīng)度

Re

VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw

0.85

0.90

 

A/W

VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw

0.90

0.95

 

響應(yīng)線性飽和功率

 

VR =10m V

3

 

 

mW

電參數(shù)

暗電流

ID

VR=10mV

 

0.2

1.0

nA

反向擊穿電壓

VBR

IR=10μA

50

 

 

V

電容

C

f=1MHz,VR=10mV

 

 

300

pF

分流電阻

Rsh

 

30

 

 

MΩ




zui大額定值


 

zui大額定值

單位

 

zui大額定值

單位

工作電壓

5

V

功耗

10

mW

正向電流

10

mA

工作溫度

-40~100

℃

焊接條件

260℃，10秒

存儲(chǔ)溫度

   -45~120

℃


封裝、管殼框圖及管腳接法 (單位：mm)
特性曲線：
使用方法及注意事項(xiàng)：

◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊，以免器件損壞。
◆ 在使用前請(qǐng)將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
◆ 在貯運(yùn)、使用過程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施，以免器件失效。

產(chǎn)品應(yīng)用：

■ 激光導(dǎo)引頭

■ 激光經(jīng)緯儀

■ 光電跟蹤

■ 定位，光電準(zhǔn)直儀器等。