客服手機(jī):13061644116
電話咨詢:021-64149583
郵件咨詢:moli@microphotons.com
InGaAs PIN光電二極管MPGD3561T
基于InGaAs/InP MOCVD結(jié)構(gòu)的平面型二極管還有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產(chǎn)品,可以按用戶要求設(shè)計不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。
■ 平面正照結(jié)構(gòu)
■ 快響應(yīng)時間
■ 低暗電流
■ 高響應(yīng)度、高可靠性
參數(shù) |
符號 |
測試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 | |
光敏面直徑 |
Φ |
|
1000 |
μm | |||
光參數(shù) |
光譜響應(yīng)范圍 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
響應(yīng)度 |
Re |
VR=5V,λ=1.3μm,Φe=100μW |
|
0.90 |
|
A/W | |
VR=5V,λ=1.55μm,Φe=100μW |
|
0.95 |
| ||||
響應(yīng)線性飽和功率 |
LR |
VR =5V,λ=1.55μm |
10 |
|
|
mW | |
響應(yīng)度線性 |
δR |
VR =5V,λ=1.55μm 100μW~10mW |
|
±0.1 |
|
dB | |
響應(yīng)時間 |
tr |
VR=5V,RL=50Ω |
|
5.0 |
|
ns | |
電參數(shù) |
暗電流 |
ID |
VR=5V |
|
3.0 |
5.0 |
nA |
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
60 |
|
|
V | |
電容 |
C |
f=1MHz,VR=5V |
|
42 |
|
pF | |
分流電阻 |
RS |
VR =10mV |
|
50 |
|
MΩ |
|
zui大額定值 |
單位 |
|
zui大額定值 |
單位 |
工作電壓 |
15 |
V |
zui大耗散功率 |
100 |
mW |
正向電流 |
10 |
mA |
工作溫度 |
-40~100 |
℃ |
焊接溫度 |
260(10秒) |
℃ |
存儲溫度 |
-45~120 |
℃ |
◆ 器件在反向偏置 5V下工作。
◆ 使用中防止劇烈震動、沖擊,以免透鏡損壞。
◆ 在使用前請將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
◆ 在貯運(yùn)、使用過程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施,以免器件失效。
■ 光功率計量監(jiān)控等儀器儀表
■ 光譜、光纖特性測試
■ 激光測距、激光雷達(dá)等空間通信
■ 其他應(yīng)用如光纖傳感。
相關(guān)產(chǎn)品: