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產(chǎn)品詳情

InGaAs PIN 雙波段探測(cè)器 MPGD7510Y

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

基于InGaAs/InP MOCVD結(jié)構(gòu)的平面型二極管還有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產(chǎn)品,可以按用戶要求設(shè)計(jì)不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。

產(chǎn)品特點(diǎn):

快響應(yīng)時(shí)間

低暗電流

寬光譜響應(yīng)

高可靠性。

參數(shù)詳情:
參數(shù)性能(Ta=23℃):


參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

zui小

典型

zui大

單位

光敏面

InGaAs

 

800

μm

Si

 

2000

光參數(shù)

光譜響應(yīng)范圍

λ

 

4001700

nm

響應(yīng)度

Re

VR1=15V;λ=0.53μm,Φe=100μW

0.2

 

 

A/W

 

VR1=15V;λ=1.06μmΦe=100μW

0.3

 

 

 

VR=10mV,λ=1.3μm,Φe=100μW

0.5

 

 

VR=10mV,λ=1.55μm,Φe=100μW

0.6

 

 

 

響應(yīng)時(shí)間

tr

VR1=15V;RL1=50Ω

 

 

10

ns

VR2=5V;RL2=50Ω

 

 

10

電參數(shù)

反向擊穿電壓

VBR

IR1=10μA

100

 

 

V

IR2=10μA

50

 

 

暗電流

ID

VR1=15V

 

 

40

nA

VR2=5V

 

 

10

電隔離度    

 

50

dB


zui大額定值


 

zui大額定值

單位

 

zui大額定值

單位

反向電壓

15

V

功耗

10

mW

正向電流

10

mA

工作溫度

-40~120

焊接條件

26010

存儲(chǔ)溫度

-40~120


封裝、管殼框圖及管腳接法 (單位:mm)
封裝、管殼框圖和管腳接法(單位:mm)
特性曲線:
使用方法及注意事項(xiàng):

器件在反偏下工作
使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊,以免透鏡損壞。
在使用前請(qǐng)將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
在貯運(yùn)、使用過程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施,以免器件失效。

產(chǎn)品應(yīng)用:

多光譜光測(cè)量

計(jì)量儀表,激光預(yù)警

跟蹤、定位和準(zhǔn)直儀器

火焰監(jiān)控、分光計(jì)等。

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