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InGaAs PIN 雙波段探測(cè)器 MPGD7510Y
基于InGaAs/InP MOCVD結(jié)構(gòu)的平面型二極管還有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產(chǎn)品,可以按用戶要求設(shè)計(jì)不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。
■ 快響應(yīng)時(shí)間
■ 低暗電流
■ 寬光譜響應(yīng)
■ 高可靠性。
參數(shù) |
符號(hào) |
測(cè)試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 | ||
光敏面 |
InGaAs |
|
800 |
μm | ||||
Si |
|
2000 | ||||||
光參數(shù) |
光譜響應(yīng)范圍 |
λ |
|
400~1700 |
nm | |||
響應(yīng)度 |
Re |
VR1=15V;λ=0.53μm,Φe=100μW |
0.2 |
|
|
A/W |
| |
VR1=15V;λ=1.06μm,Φe=100μW |
0.3 |
|
|
| ||||
VR=10mV,λ=1.3μm,Φe=100μW |
0.5 |
|
| |||||
VR=10mV,λ=1.55μm,Φe=100μW |
0.6 |
|
|
| ||||
響應(yīng)時(shí)間 |
tr |
VR1=15V;RL1=50Ω |
|
|
10 |
ns | ||
VR2=5V;RL2=50Ω |
|
|
10 | |||||
電參數(shù) |
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR1=10μA |
100 |
|
|
V | |
IR2=10μA |
50 |
|
| |||||
暗電流 |
ID |
VR1=15V |
|
|
40 |
nA | ||
VR2=5V |
|
|
10 | |||||
電隔離度 |
|
50 |
dB |
|
zui大額定值 |
單位 |
|
zui大額定值 |
單位 |
反向電壓 |
15 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
正向電流 |
10 |
mA |
工作溫度 |
-40~120 |
℃ |
焊接條件 |
260℃,10秒 |
存儲(chǔ)溫度 |
-40~120 |
℃ |
◆ 器件在反偏下工作
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊,以免透鏡損壞。
◆ 在使用前請(qǐng)將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
◆ 在貯運(yùn)、使用過程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施,以免器件失效。
■ 多光譜光測(cè)量
■ 計(jì)量儀表,激光預(yù)警
■ 跟蹤、定位和準(zhǔn)直儀器
■ 火焰監(jiān)控、分光計(jì)等。
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