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InGaAs PIN光電二極管MPGT3563T
基于InGaAs/InP MOCVD結(jié)構(gòu)的平面型二極管還有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產(chǎn)品,可以按用戶要求設(shè)計(jì)不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。
■ 平面正照結(jié)構(gòu)
■ 低暗電流
■ 高響應(yīng)度
■ 高可靠性、寬光譜響應(yīng)范圍。
參數(shù) |
符號(hào) |
測(cè)試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 | |
光敏面直徑 |
Φ |
|
3000 |
μm | |||
光參數(shù) |
光譜響應(yīng)范圍 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
響應(yīng)度 |
Re |
VR=10mV,λ=1.3μm,Φe=100μW |
0.80 |
|
|
A/W | |
VR=10mV,λ=1.55μm,Φe=100μW |
0.85 |
|
| ||||
響應(yīng)線性飽和功率 |
|
VR =10mV, Φ8μm單模光纖光斑 |
1 |
|
|
mW | |
電參數(shù) |
暗電流 |
ID |
VR=10mV |
|
|
30 |
nA |
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
5 |
|
|
V | |
電容 |
C |
f=1MHz,VR=10mV |
|
|
1.5 |
nF | |
分流電阻 |
Rsh |
VR=10mV,φe=0 |
0.5 |
|
|
MΩ | |
備注 |
光電參數(shù)指標(biāo)可以按用戶要求。 |
|
zui大額定值 |
單位 |
|
zui大額定值 |
單位 |
工作電壓 |
0.5 |
V |
zui大耗散功率 |
100 |
mW |
正向電流 |
10 |
mA |
工作溫度 |
-40~70 |
℃ |
焊接溫度 |
260(10秒) |
℃ |
存儲(chǔ)溫度 |
-40~85 |
℃ |
◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止劇烈震動(dòng)、沖擊,以免透鏡損壞。
◆ 在使用前請(qǐng)將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
◆ 在貯運(yùn)、使用過程中必須采取嚴(yán)格的靜電防護(hù)措施,以免器件失效。
■ 光功率計(jì)量、測(cè)量、監(jiān)控
■ 激光幾何特性、光譜特性測(cè)量
■ 自由空間光探測(cè)、接收
■ 工業(yè)監(jiān)控、醫(yī)用等應(yīng)用。
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